Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1600 R 17 KF6 B2 vorläufige Daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
VCES
1700
V
T C = 80 °C
IC,nom.
1600
A
T C = 25 °C
IC
3200
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current
tP = 1 ms, T C = 80°C
ICRM
3200
A
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation
T C=25°C, Transistor
Ptot
12,5
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
1600
A
IFRM
3200
A
I2t
980
kA2s
VISOL
4
kV
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values min.
typ.
max.
-
2,7
3,2
-
3,2
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage
IC = 1600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
VCE sat
IC = 1600A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
V V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage
IC = 130mA, VCE = VGE, T vj = 25°C
Gateladung gate charge
VGE = -15V ... +15V
QG
-
19
-
µC
Eingangskapazität input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cies
-
105
-
nF
Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cres
-
t.b.d.
-
nF
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
ICES
3
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: Oliver Schilling
date of publication: 12.11.1998
approved by: M. Hierholzer
revision: 1
1(8)
IGES
-
0,4
-
40
-
-
mA mA
400
nA
[email protected]
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1600 R 17 KF6 B2 vorläufige Daten preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values min.
typ.
max.
-
0,3
-
µs
-
0,3
-
µs
-
0,19
-
µs
-
0,19
-
µs
-
1,2
-
µs
-
1,2
-
µs
-
0,15
-
µs
-
0,16
-
µs
Eon
-
430
-
mWs
Eoff
-
670
-
mWs
ISC
-
6400
-
A
LsCE
-
12
-
nH
RCC´+EE´
-
0,08
-
mΩ
min.
typ.
max.
-
2,2
2,6
-
2,05
Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load)
IC = 1600A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, T vj = 25°C
td,on
VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, T vj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load)
IC = 1600A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, T vj = 25°C
tr
VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, T vj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load)
IC = 1600A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, T vj = 25°C
td,off
VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, T vj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load)
IC = 1600A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, T vj = 25°C
tf
VGE = ±15V, RG = 0,9Ω, T vj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data
IC = 1600A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 0,9Ω, T vj = 125°C, LS = 50nH IC = 1600A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 0,9Ω, T vj = 125°C, LS = 50nH tP ≤ 10µsec, V GE ≤ 15V T Vj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt
Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage
IF = 1600A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
Rückstromspitze peak reverse recovery current
IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec
VF
IF = 1600A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
IRM
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge
V
-
920
-
A
-
1350
-
A
-
220
-
µAs
-
460
-
µAs
IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
Qr
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy
V
IF = 1600A, - diF/dt = 9600A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
2(8)
Erec
-
125
-
mWs
-
240
-
mWs
[email protected]
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1600 R 17 KF6 B2 vorläufige Daten preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties min.
typ.
max.
-
-
0,01
K/W
-
-
0,017
K/W
RthCK
-
0,008
-
K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
T vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur operation temperature
T op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur storage temperature
T stg
-40
-
125
°C
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K
RthJC
Diode/Diode, DC
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation
AlN
Kriechstrecke creepage distance
17
mm
Luftstrecke clearance
10
mm
CTI comperative tracking index
min.
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque
terminals M4
275
M1
5
Nm
M2
2
Nm
8 - 10
Nm
terminals M8
Gewicht weight
G
1050
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
[email protected]
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1600 R 17 KF6 B2 Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical)
vorläufige Daten preliminary data
IC = f (VCE) VGE = 15V
3500 3000
IC [A]
2500 2000
1500 Tj = 25°C
1000
Tj = 125°C
500 0 0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
4,5
5,0
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical)
IC = f (VCE) Tvj = 125°C
3500 VGE = 20V
3000
VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V
2500
VGE = 9V
IC [A]
VGE = 8V
2000
1500 1000
500 0 0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
VCE [V]
4(8)
[email protected]
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1600 R 17 KF6 B2 vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical)
IC = f (VGE) VCE = 20V
3500 3000
Tj = 25°C Tj = 125°C
IC [A]
2500 2000
1500 1000
500 0 5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical)
IF = f (VF)
3500 Tj = 25°C
3000
Tj = 125°C
IF [A]
2500 2000
1500 1000
500 0 0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
VF [V]
5(8)
[email protected]
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1600 R 17 KF6 B2 vorläufige Daten preliminary data
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) Rgon = Rgoff =0,9 Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C, VGE = ± 15V 1800 Eoff
1600
Eon Erec
1400
E [mJ]
1200 1000 800 600 400 200 0 0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
6
7
IC [A]
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) IC = 1600A , VCE = 900V , Tj = 125°C, VGE = ± 15V
1600 1400
Eoff Eon Erec
1200
E [mJ]
1000 800 600 400 200 0 0
1
2
3
4
5
RG [Ω]
6(8)
[email protected]
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1600 R 17 KF6 B2 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance
vorläufige Daten
ZthJC = f (t)
preliminary data
0,1
ZthJC [K / W]
0,01
0,001 Zth:Diode Zth:IGBT
0,0001 0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec] i ri [K/kW] τi [sec] ri [K/kW] τi [sec]
1
2
3
4
: IGBT
0,94
4,72
1,425
2,92
: IGBT
0,027
0,052
0,09
0,838
: Diode
7,85
3,53
1,12
4,52
: Diode
0,0287
0,0705
0,153
0,988
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA)
Rg = 0,9 Ohm, Tvj= 125°C
3500 3000
IC [A]
2500 IC,Modul
2000
IC,Chip 1500 1000 500 0 0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
VCE [V]
7 (8)
[email protected]
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1600 R 17 KF6 B2
Äußere Abmessungen / external dimensions
8(8)
[email protected]
